國內LED技術躍進 散熱技術引領全球

【本刊訊】國家中山科學研究院(中科院)化學研究所,於6月17日的「2014臺北國際光電週之LED照明展」上展示LED照明產業相關研發成果,其中與經濟部技術處合作專案計畫案所研發的「氮化鋁LED照明技術」備受注目。

過去LED相關產品大多因散熱的問題導致壽命降低,消費者的採購意願也因此受到影響,不利於產業推動。於民國100年,中科院研發出全球第一片八吋晶圓級氮化鋁LED封裝基板,此技術協助國內LED產業,由原本的矽基板演進至氮化鋁基板。氮化鋁材料本身具有優異絕緣與高導熱特性、熱導性高(約為矽的1.4倍)、低熱膨脹系數、優越的機械強度及無毒害問題。取代現階段的氧化鋁基板及矽基板,使用壽命約可延長6000~7000小時。

氮化鋁LED照明技術的應用很廣泛,可用於室內照明、路燈、車頭燈等。比起目前主流鹵素燈及氙氣燈,使用LED燈有更高的效能及更長的壽命,新的技術將原本LED燈最大的問題「散熱」解決了,改善此致命缺點後,可以降低車殼零件因LED燈過熱而損毀的情形,更可加長使用壽命。

除氮化鋁原料技術的開發外,中科院也在LED相關技術(螢光粉、封裝材料領域等)上進行研發。在螢光粉方面,透過配方設計衍生新穎紅色258氮化物螢光粉專利,建立合成氮化物所需之無氧化製程技術,提升亮度、演色性與熱特性,希望突破螢光粉技術掌握於日本的困境。在封裝材料上,高散熱效果散熱膏及耐高低溫的低介電性封裝樹脂,能有效降低高效率的LED散熱設計之難度。

中科院希望能利用現有的研發成果,積極的幫助臺灣企業,建立起LED完整的產業鏈,使臺灣自行研發的氮化鋁LED技術能在臺灣深耕,並發揚國際,提升在國際上的競爭力。

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